Transistor Mosfet IRF640N
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Transistor 2SK117 - Tipo JFET - Encapsulado TO-92
Referencia: 2SK117
Transistor 2SK117
Transistor 2SK117
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 50 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.014 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 0.2 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 250 Ohm
Encapsulado: TO92
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