Transistor 2SK117

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

 

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 50 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 0.014 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 125 °C

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 0.2 V

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 250 Ohm

Encapsulado: TO92

2SK117

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