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Transistor 2N5551
Transistor J175
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: P
Diseñado para circuitos de conmutación analógica de bajo nivel, muestreo y retención, así como amplificadores estabilizados por chopper.
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.06 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 5 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 125 Ohm
Encapsulado: TO92
Transistor J175
Transistor 2N5551
Transistor IRFP260N
Transistor IRFP460
Transistor Mosfet IRF510
Circuito Integrado MIP0222SY
Transistor Mosfet 60R580P
Transistor S8850
Transistor SS8850
Transistor Mosfet 70R900P
Transistor Mosfet IRF630N
Transistor Mosfet IRF740N
Transistor 2N3904
Transistor S9013
Transistor Mosfet 50R380P
Transistor Mosfet IRF630
Transistor Mosfet IRF3205
Transistor J112
Transistor 2N3906
Transistor 2SK105
Transistor Mosfet 60R900P
Transistor Mosfet IRF840
Transistor S9014
Transistor A1015 - 2SA1015
Transistor J113