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Transistor J175 - Tipo JFET - Encapsulado TO 92

Referencia: J175

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Transistor J175

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Transistor J175

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: P

Diseñado para circuitos de conmutación analógica de bajo nivel, muestreo y retención, así como amplificadores estabilizados por chopper.

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 0.06 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 5 V

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 125 Ohm

Encapsulado: TO92

J175

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