Transistor IRFP064N - Mosfet De Potencia

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Especificaciones Máximas

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 55 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A

Característica Eléctricas

Carga de compuerta (Qg): 170 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Encapsulado : TO-247

IRFP064N

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