Transistor LR024N IRLR024N

Tipo : MOSFET – Polaridad : N

Encapsulado : TO 252 (DPAK) - Montaje : SMD

Pd - Máxima disipación de potencia: 45 W

Vds - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V

Vgs - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V

Id - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tj - Temperatura máxima de unión: 175 °C

Vgs(th) - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V

LR024N

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