Transistor IRFP250N - Mosfet De Potencia

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Especificaciones Máximas

Disipación total del dispositivo (Pd): 214 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A

Característica Eléctricas

Carga de compuerta (Qg): 123 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.075 Ohm

Encapsulado : TO-247

IRFP250N

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