Transistor 2SK679A

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

 

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 0.75 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 0.5 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de subida (tr): 44 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.7 Ohm

Encapsulado: TO92

2SK679A

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