- Nuevo
Transistor S9012
Transistor J113
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
Diseñado para circuitos de conmutación analógica de bajo nivel, muestreo y retención, así como amplificadores estabilizados por chopper.
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 35 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.05 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 3 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 30 Ohm
Encapsulado: TO92
Transistor J113
Transistor S9012
Transistor C1815 - 2SC1815
Transistor Mosfet 60R580P
Transistor 2N5551
Transistor LR024N IRLR024N
Transistor BC547B
Transistor Mosfet 60R900P
Transistor SS8050
Transistor SS8850
Transistor A733 - 2SA733
Transistor 2SK105
Transistor 2SK117
Transistor 2N5401
Transistor IRFP064N
Transistor J112
Transistor IRFP260N
Transistor Bipolar De Potencia 2N3055
Transistor 2SK246-GR
Transistor C945 - 2SC945
Transistor 2N3904
Transistor 2SJ74-BL
Transistor Mosfet IRF840
Transistor LR2905
Transistor BC557B