Transistor J112 - Tipo JFET - Encapsulado TO 92

Referencia: J112

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Transistor J112

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Transistor J112

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

Diseñado para circuitos de conmutación analógica de bajo nivel, muestreo y retención, así como amplificadores estabilizados por chopper.

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 0.4 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 35 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 0.05 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 1 V

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 30 Ohm

Encapsulado: TO92

J112

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