Transistor J111 - Tipo JFET - Encapsulado TO 92

Referencia: J111

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Transistor J111

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Transistor J111



Tipo de FET: JFET


Polaridad de transistor: N


Diseñado para circuitos de conmutación analógica de bajo nivel, muestreo y retención, así como amplificadores estabilizados por chopper.


ESPECIFICACIONES MÁXIMAS



Máxima disipación de potencia (Pd): 0.4 W


Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 35 V


Corriente continua de drenaje |Id|: 0.05 A


Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C


CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS



Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 3 V


Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 30 Ohm


Encapsulado: TO92


J111

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